ТОКИО. /Nikkei/. Япон, АНУ 2 нанометрийн хэмжээтэй, дараагийн үеийн бичил чип хөгжүүлэх судалгааны шинэ төв байгуулахаар төлөвлөж байна.

Уг байгууламжийг Японы Чип судлалын хүрээлэн Токиогийн Их Сургууль, Байгалийн шинжлэх ухааны хүрээлэнтэй (Рикен) хамтран байгуулах бол тоног төхөөрөмж, мэргэжилтнүүдийг АНУ-ын Хагас дамжуулагчийн технологийн үндэсний төвөөс хангана.

Хоёр улс эрчим хүчний хэрэглээ багатай өндөр бүтээмжтэй дэвшилтэт 2 нанометрийн хагас дамжуулагчийг судлахаар төлөвлөж байна. Судалгаа, хөгжүүлэлтийн төв нь туршилтын загварын үйлдвэрлэлийн шугамтай байх бол ийм бүтээгдэхүүнийг 2025 оноос Японд их хэмжээгээр үйлдвэрлэж эхлэхээр төлөвлөжээ.

Хагас дамжуулагчийн судалгаанд хамтран ажиллах тухай гэрээнд долоодугаар сарын 29-ний өдөр Япон, АНУ-ын гадаад бодлогын болон эдийн засгийн байгууллагын тэргүүн нарын "2+2" хэлбэрээр хийх уулзалтын үеэр гарын үсэг зурахаар төлөвлөсөн байна.

АНУ, Японы хооронд бичил схемийг хөгжүүлэх, үйлдвэрлэх хамтын ажиллагаа бэхжиж байгаа нь дэлхий даяар энэ төрлийн электрон бүтээгдэхүүний хомсдол ороод байгаа нөхцөлд нийлүүлэлтийн сүлжээг бэхжүүлэх, эдийн засгийн аюулгүй байдлыг хангах хүсэл эрмэлзэлтэй нь холбоотой юм. Үүнээс гадна Токио, Вашингтон 10 нанометр ба түүнээс бага ангилалд багтдаг өндөр технологийн хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлийн хүчин чадлын 90 орчим хувь нь төвлөрдөг Тайванийн эргэн тойрон дахь байдал муудахаас болгоомжилж байна.

Д.Жаргал

Эх сурвалж: "Монцамэ" агентлаг